RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
54
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
20
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3404
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link