RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Super Talent F24EB8GS 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Super Talent F24EB8GS 8GB Причины выбрать
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 54
    Около -74% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.2 left arrow 9.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.4 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    54 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.2 left arrow 16.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2105 left arrow 3017

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Super Talent F24EB8GS 8GB Сравнения RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
модули RAM