RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
54
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3064
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link