RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3033
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link