RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
74
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
74
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1616
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link