RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3636
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link