RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
4219
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link