RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
67
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
67
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2042
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link