RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
63
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2808
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link