RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
63
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
47
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
11.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2362
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link