RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
71
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
71
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
1902
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link