RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
6.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
6.4
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1954
3371
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link