RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3371
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564U64CP8-Y5 512MB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link