Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 51
    Около -65% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    22.4 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.8 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.2 left arrow 22.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.6 left arrow 16.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2049 left arrow 4012
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения