RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.4
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
22.4
Скорость записи, Гб/сек
7.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2049
4012
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link