RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link