RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2049
2949
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link