RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    53 left arrow 55
    Около 4% меньшая задержка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    9.3 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.4 left arrow 1,590.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    53 left arrow 55
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,726.4 left arrow 9.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,590.1 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    522 left arrow 2078

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
модули RAM
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
модули RAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
модули RAM