RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2049
2542
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Сравнения RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link