Comparaison de la RAM Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Note globale

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 51

Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.8 10.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.9 7.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2049 2542

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns