RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
49
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
4173
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link