RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
4173
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link