RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3576
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link