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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3576
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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