Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 49

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.1 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 40
Скорость чтения, Гб/сек

10.0 13.1
Скорость записи, Гб/сек

8.2 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2116 2204

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB

Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB

модули RAM