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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
49
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
40
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2204
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16/16G 16GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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