Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 49
    Около -44% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.3 left arrow 10
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.9 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.0 left arrow 14.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 10.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2116 left arrow 2201
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения