RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2201
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link