RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2488
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link