RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2808
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link