RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2808
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link