RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 27
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.8 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2057 left arrow 2880

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
модули RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
модули RAM
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
модули RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
модули RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
модули RAM