RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
5.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
8.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
5.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1967
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link