RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1967
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link