Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    20 left arrow 27
    Около -35% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.4 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.0 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 20
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.8 left arrow 19.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 15.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2057 left arrow 3395
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения