RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 41
    Около 20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    8 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.3 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.0 left arrow 7.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 6.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1911 left arrow 1512

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
модули RAM