RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Kingston 9905630-025.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2504
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link