RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
47
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2362
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link