RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2173
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link