RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2277
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link