RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2938
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link