RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3040
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link