RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
94
Около -224% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
29
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3563
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link