RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
94
Autour de -224% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
29
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3563
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link