RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
45
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
45
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
9.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1550
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link