RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3772
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link