RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
3772
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link