RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link