RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2950
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link