RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2950
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link