RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3196
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link